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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
14 108En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 25 A 8 mOhms, 2.6 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 52 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
8 409En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 30 A 8 mOhms, 1.8 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 87 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel