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STP65N045M9

Name: STMicroelectronics STP65N045M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N045M9
Price: 4380.47 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP65N045M9

Fabricante N.º:

STP65N045M9

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 380,47	₡4 380,47
	₡2 434,20	₡24 342,00
	₡2 239,03	₡223 903,00
	₡2 211,92	₡1 105 960,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	80 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	245 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	MDmesh M9
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel

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Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low R_DS(on) per area. The device implements innovative super-junction MDmesh M9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.