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SIA433EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA433EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA433EDJ-GE3
Price: 612.62 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SIA433EDJ-GE3

Fabricante N.º:

SIA433EDJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡612,62	₡612,62
	₡379,50	₡3 795,00
	₡256,97	₡25 697,00
	₡206,01	₡103 005,00
	₡183,24	₡183 240,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡171,32	₡513 960,00
	₡159,93	₡959 580,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	75 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	3.5 us
Transconductancia hacia delante - Mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	0.6 us
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 us
Tiempo típico de demora de encendido:	0.3 us
Alias de las piezas n.º:	SIA433EDJ-GE3
Peso de la unidad:	41 mg