STD12N60DM2AG
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- China
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 2 383
-
Existencias:
-
2 383 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| ₡1 774,79 | ₡1 774,79 | |
| ₡1 150,23 | ₡11 502,30 | |
| ₡796,31 | ₡79 631,00 | |
| ₡666,20 | ₡333 100,00 | |
| ₡629,76 | ₡629 760,00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| ₡577,72 | ₡1 444 300,00 | |
Costa Rica
