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A2U8M12W3-FC

Name: STMicroelectronics A2U8M12W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2U8M12W3-FC
Price: 123470 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-A2U8M12W3-FC

Fabricante N.º:

A2U8M12W3-FC

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

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	₡123 470	₡123 470
	₡105 235	₡1 052 350
108	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	56.7 mm x 48 mm
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
Altura:	12.25 mm
Longitud:	56.7 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Ancho:	48 mm
Peso de la unidad:	42 g

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ACEPACK 2 Power Module

STMicroelectronics ACEPACK 2 Power Module offers a 3-level topology with NTC and capacitance. The device is based on silicon carbide third-generation technology. The STmicro modular solution achieves complex topologies with high power density and efficiency requirements in DC-DC converter applications.