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SVD5867NLT4G-UM

Name: onsemi SVD5867NLT4G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-SVD5867NLT4G-UM
Price: 537 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-SVD5867NLT4G-UM

Fabricante N.º:

SVD5867NLT4G-UM

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DPAK 60V 18A 43MOHM

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	₡238	₡23 800
	₡203	₡101 500
	₡186	₡186 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡166	₡415 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	43 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	2.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12.6 ns
Serie:	NVD5867NL
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.5 ns

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Hoja de datos

SVD5867NLT4G-UM Hoja de datos

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVD5867NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVD5867NL Single N-Channel Power MOSFET features 60V drain-to-source voltage, 39mΩ maximum drain-to-source on resistance. This n-channel MOSFET offers low R_DS(on) to minimize conduction losses and high current capability. The NVD5867NL n-channel MOSFET is Avalanche energy specified, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. This n-channel MOSFET is Pb and halogen/BFR-free, and is RoHS-compliant. Typical applications include automotive solenoid/relay drivers, automotive lamp drivers, automotive motor drivers, automotive DC-DC converter output drivers, and automotive infotainment systems.