EPC2305

65-EPC2305
EPC2305

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 8 892

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡4 727 ₡4 727
₡3 254 ₡32 540
₡2 535 ₡253 500
₡2 378 ₡2 378 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡2 065 ₡6 195 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
150 V
133 A
2.2 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
22 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 31,200 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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