Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 16A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 8A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 10A AUTO SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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onsemi Diodos Schottky de SiC Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 30A SIC SBD G EN1.5
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 8A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 10A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 16A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 50A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A
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onsemi Diodos Schottky de SiC TranSic_HV
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V SiC SBD 30A
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 20A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 40A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 6A 650V
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