Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

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Cantidad RoHS

onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide Schottky Diode
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500


onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 40A AUTO SIC SBD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1