FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module

Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module is a 3.3kV, 450A Dual Insulated Gate Bipolar Transistor Module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and an emitter controlled diode. Designed specifically for high-power operations, the highly integrated XHP IGBT Modules cover the full-voltage range of IGBT chips from 3.3kV to 6.5kV. Sharing the same compact 140mm x 100mm x 40mm dimensions, these IGBT Modules allow for scalable design with best-in-class reliability and high power density. The FF450R33T3E3B5 IGBT module features enhanced isolation of 10.4kV.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 3300 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT XHP HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray