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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 1601 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIZF906BDT-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIZF906BDT-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

Hoja de datos:

SIZF906BDT-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 601	₡1 601
	₡1 038	₡10 380
	₡713	₡71 300
	₡579	₡289 500
	₡535	₡535 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡473	₡1 419 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAIR-6x5F-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	105 A, 257 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC, 81 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	38 W, 83 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	93 S, 170 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns, 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns, 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns, 20 ns
Peso de la unidad:	337,318 mg

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CNHTS:: 8504409100
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET is a SkyFET^® low side MOSFET with integrated schottky. The TrenchFET^® Gen IV power MOSFET is offered in a PowerPAIR 6x5F package and is 100% Rg and UIS tested. The Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual MOSFET is ideal for CPU core power, computer/server peripherals, POL, synchronous buck converter, and telecom DC/DC applications.