Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Panjit
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5 882En existencias

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PJQ4476AP-AU_R2_000A1

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241-PJQ4476APAUR2000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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₡360,52

₡284,08

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₡234,75

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: 5 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
1: ₡309,02
5 120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3470_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3470_R1_00001

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₡309,02

₡190,29

₡127,94

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₡74,27

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N-Channel

1 Channel

100 V

1.3 A

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- 20 V, 20 V

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9.1 nC

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+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
1: ₡498,77
2 646En existencias
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PJA3474S_R1_00701

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241-PJA3474SR100701

Nuevo producto

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₡498,77

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₡202,22

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₡120,35

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

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- 20 V, 20 V

3 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
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5 659En existencias

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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC042N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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₡1 664,36

₡1 187,28

₡862,00

₡683,09

₡661,41

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₡661,41

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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100 V

109 A

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58 nC

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+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
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5 339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC078N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC078N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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₡856,58

₡547,56

₡362,69

₡348,59

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₡348,59

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SMD/SMT

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1 Channel

100 V

63 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

30 nC

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+ 150 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

PSMQC098N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡867,42
5 990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC098N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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₡867,42

₡623,46

₡432,63

₡352,93

₡321,49

Envase tipo carrete

₡310,10

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

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25 nC

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+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡661,41
7 853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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₡661,41

₡414,19

₡272,70

₡216,31

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₡167,52

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- 20 V, 20 V

2.3 V

9 nC

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+ 175 C

29.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: ₡1 236,07
1 610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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₡1 236,07

₡791,52

₡536,72

₡447,26

₡394,13

Envase tipo carrete

₡387,63

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DFN-5060-8

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100 V

64 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: ₡103,01
2 922En existencias
6 000Se espera el 13/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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2 922En existencias

6 000Se espera el 13/7/2026

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₡103,01

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₡38,49

₡28,19

Envase tipo carrete

₡17,35

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001
Panjit
1: ₡249,38
8 724En existencias
18 000Se espera el 20/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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8 724En existencias

18 000Se espera el 20/10/2026

Cinta cortada

₡249,38

₡153,97

₡97,58

₡73,19

₡65,06

Envase tipo carrete

₡54,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

100 V

900 mA

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- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: ₡157,22
3 064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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3 064En existencias

Cinta cortada

₡157,22

₡94,33

₡59,09

₡43,91

Envase tipo carrete

₡31,99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: ₡200,59
61En existencias
6 000Se espera el 22/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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61En existencias

6 000Se espera el 22/4/2026

Cinta cortada

₡200,59

₡123,61

₡77,53

₡58,01

Envase tipo carrete

₡42,83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡384,92
2 720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

2 720En existencias

Cinta cortada

₡384,92

₡240,17

₡154,51

₡117,64

₡105,72

Envase tipo carrete

₡93,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Panjit
1: ₡829,47
1 950En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALAUL200

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

₡829,47

₡525,87

₡350,76

₡275,41

₡251,01

Envase tipo carrete

₡225,53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡580,09
1 726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1 726En existencias

Cinta cortada

₡580,09

₡363,23

₡238,00

₡183,78

₡166,44

Envase tipo carrete

₡152,34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
1: ₡590,93
5 538Se espera el 22/4/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJA3474S-AU_R1_007A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3474SAUR17A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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5 538Se espera el 22/4/2026

Cinta cortada

₡590,93

₡365,40

₡238,54

₡183,78

Envase tipo carrete

₡140,41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.5 A

118 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12 000: ₡17,89
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Envase tipo carrete

₡17,89

Min.: 12 000
Mult.: 12 000

: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12 000: ₡28,73
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡28,73

Min.: 12 000
Mult.: 12 000

: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12 000: ₡45,54
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Envase tipo carrete

₡45,54

₡40,66

Min.: 12 000
Mult.: 12 000

: 12 000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
1: ₡525,87
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD10P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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P-Channel

1 Channel

100 V

10 A

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PJD13N10A_L2_00001
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PJD50N10AL_L2_00001
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TO-252AA-3

N-Channel

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100 V

42 A

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2.5 V

29 nC

- 55 C

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83 W

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
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PJD6N10A_L2_00001

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241-PJD6N10AL200001

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PSMN015N10NS2_R2_00201
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PSMN015N10NS2_R2_00201

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241-PSMN015N10NS2R22

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