Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
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NRND

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PJQ4476AP-AU_R2_000A1

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NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1 Channel

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35 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
1: ₡499,65
87En existencias
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PJA3470_R1_00001

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241-PJA3470_R1_00001

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Cinta cortada

₡499,65

₡344,55

₡218,08

₡134,80

₡99,93

Envase tipo carrete

₡54,65

MouseReel Disponible

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡765,08
6 238En existencias

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PSMQC280N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC280N10LS2

Panjit

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Cinta cortada

₡765,08

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
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PJA3474S_R1_00701

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241-PJA3474SR100701

Panjit

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₡510,06

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₡123,87

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
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5 649En existencias

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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC042N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
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PSMQC078N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC078N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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₡624,56

₡416,89

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

PSMQC098N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡843,15
5 990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC098N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: ₡1 264,73
1 608En existencias

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PSMQC074N10NS2_R2_00201

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241-PSMQC074N10NS2

Panjit

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
1: ₡582,92
8En existencias
12 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJA3474S-AU_R1_007A1

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241-PJA3474SAUR17A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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₡582,92

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₡184,24

₡167,07

Envase tipo carrete

₡153,02

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.5 A

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3 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: ₡161,34
3 064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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₡161,34

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₡62,46

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₡40,60

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SOT-23-3

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1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

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1.8 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: ₡208,19
5 127En existencias
39 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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₡208,19

₡126,99

₡79,63

₡59,33

Envase tipo carrete

₡43,72

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

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2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡405,96
2 710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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₡405,96

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Envase tipo carrete

₡94,72

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡608,94
1 721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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₡608,94

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₡250,34

₡194,13

Envase tipo carrete

₡151,98

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

55 mOhms

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61 nC

- 55 C

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60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001
Panjit
1: ₡307,07
40 870En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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40 870En pedido

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₡307,07

₡189,97

₡120,23

₡90,04

Envase tipo carrete

₡56,21

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

100 V

900 mA

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- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: ₡104,09
17 971En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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₡104,09

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₡40,08

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Envase tipo carrete

₡20,82

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

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1.8 nC

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12 000: ₡18,22
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Envase tipo carrete

₡18,22

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: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12 000: ₡29,67
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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₡29,67

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: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12 000: ₡48,40
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Envase tipo carrete

₡48,40

₡38,51

Min.: 12 000
Mult.: 12 000

: 12 000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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350 mW

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD10P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

₡556,90

₡342,99

₡225,36

₡176,96

₡155,62

Envase tipo carrete

₡119,71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

100 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

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+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡458,01
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD13N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD13N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

₡458,01

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₡185,29

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Envase tipo carrete

₡100,45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
Panjit
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PJD14P10A_L2_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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₡370,05

₡242,54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
Panjit
3 000: ₡227,96
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PJD50N10AL_L2_00001

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241-PJD50N10ALL20000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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₡227,96

₡225,88

₡211,83

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡676,61
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PJD6N10A_L2_00001

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241-PJD6N10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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₡676,61

₡468,42

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2 000: ₡2 357,71
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PSMN015N10NS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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₡2 357,71

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Mult.: 2 000

: 2 000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

PSMN028N10NS2_R2_00201
Panjit
2 000: ₡1 228,30
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN028N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN028N10NS2R22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

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: 2 000

N-Channel

100 V

240 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

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Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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