Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
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₡204

₡137

₡99,2

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
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₡255

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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₡940

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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Panjit
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PSMQC078N10LS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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₡916

₡586

₡388

₡362

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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₡928

₡667

₡463

₡378

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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Panjit
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PSMQC280N10LS2_R2_00201

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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₡708

₡443

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₡231

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
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1 610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

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241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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₡1 322

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₡574

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₡398

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: ₡110
1 438En existencias
9 000Se espera el 18/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

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241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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9 000Se espera el 18/2/2026

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₡110

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₡30,2

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₡18,6

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PJA3471_R1_00001
Panjit
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PJA3471_R1_00001

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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9 000Se espera el 18/5/2026

Cinta cortada

₡278

₡170

₡108

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₡60,3

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100 V

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
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3 216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

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241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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₡168

₡101

₡63,2

₡47

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₡34,2

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: ₡220
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N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

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241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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8 167En existencias

Cinta cortada

₡220

₡132

₡82,9

₡62,1

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₡45,8

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SMD/SMT

SOT-323-3

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1 Channel

100 V

300 mA

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡568
1 726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1 726En existencias

Cinta cortada

₡568

₡371

₡251

₡197

Envase tipo carrete

₡154

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Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

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55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡412
2 720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

2 720En existencias

Cinta cortada

₡412

₡257

₡165

₡126

Envase tipo carrete

₡96,3

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Panjit
1: ₡713
1 980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
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NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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₡713

₡481

₡365

₡295

Envase tipo carrete

₡235

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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

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83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12 000: ₡19,1
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Envase tipo carrete

₡19,1

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

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2.5 V

1.8 nC

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Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12 000: ₡30,7
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡30,7

Min.: 12 000
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Carrete: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12 000: ₡48,7
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

₡48,7

₡41,8

Min.: 12 000
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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
1: ₡563
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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₡563

₡349

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Envase tipo carrete

₡126

MouseReel Disponible

Min.: 1
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100 V

10 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡447
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD13N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD13N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

₡447

₡277

₡179

₡137

Envase tipo carrete

₡105

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
Panjit
1: ₡603
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD14P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD14P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

₡603

₡376

₡247

₡190

Envase tipo carrete

₡148

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
Panjit
3 000: ₡199
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALL20000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

₡199

₡184

₡173

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: ₡418
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD6N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD6N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

₡418

₡412

Envase tipo carrete

₡112

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2 000: ₡2 245
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

₡2 245

Min.: 2 000
Mult.: 2 000

Carrete: 2 000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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109 A