Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: ₡1 951,75
2 265En existencias

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

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Envase tipo carrete

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: 800

SMD/SMT

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1 Channel

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10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
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4 635En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Vishay Semiconductors
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6 163En existencias

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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6 163En existencias

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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
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IRF740ALPBF
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF
Vishay Semiconductors
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IRF740LCPBF

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1 456En existencias

₡2 227,59

₡1 119,00

₡947,25

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10 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF
Vishay Semiconductors
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IRF740PBF

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844-IRF740PBF

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2 684En existencias

4 000Se espera el 9/7/2026

₡1 426,08

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1 Channel

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740SPBF
Vishay Semiconductors
1: ₡1 951,75
1 303En existencias

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IRF740SPBF

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844-IRF740SPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Vishay Semiconductors
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IRF740ASTRLPBF

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844-IRF740ASTRLPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF-BE3
Vishay / Siliconix
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5 993En existencias

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IRF740APBF-BE3

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78-IRF740APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

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36 nC

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

IRF740ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
800: ₡687,01
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IRF740ASTRRPBF

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844-IRF740ASTRRPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

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