4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
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402En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
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1 175En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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513En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
584En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
830En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
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51En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Hoja de datos
814En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Hoja de datos
690En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 33A P CHAN
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2 433En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT HSOP-8 P-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
Hoja de datos
615En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC
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344En existencias
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Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
2 020En existencias
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Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Hoja de datos
686En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
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1 996En existencias
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Máx.: 100
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
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1 488En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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4 215En existencias
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Carrete: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-457T-6 P-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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6En existencias
450Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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2 130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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2 880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel