SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DRC15
SCT4013DRC15

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCT4013DRC15

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

En pedido:
450
Se espera el 11/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡17 565 ₡17 565
₡14 161 ₡141 610
₡13 857 ₡1 385 700

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tiempo de caída: 17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 32 S
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 32 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 82 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4013DR
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4013DR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance device designed for demanding power electronics applications. Featuring a drain-source voltage rating of 750V and a 105A continuous drain current (at +25°C), this device offers exceptional efficiency and thermal performance. The low on-resistance of 13mΩ (typical) and fast switching characteristics make the ROHM SCT4013DR ideal for high-frequency applications such as power supplies, inverters, and motor drives. The SCT4013DR also benefits from the inherent advantages of SiC technology, including a high breakdown voltage, low switching losses, and superior thermal conductivity, which contribute to reduced system size and improved reliability. Packaged in a TO-247-4L case, the MOSFET supports robust thermal management and ease of integration into existing designs.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.