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NTB110N65S3HF

Name: onsemi NTB110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB110N65S3HF
Price: 3578.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTB110N65S3HF

Fabricante N.º:

NTB110N65S3HF

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET110M

Hoja de datos:

NTB110N65S3HF Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 578,60	₡3 578,60
	₡2 528,80	₡25 288,00
	₡2 105,40	₡210 540,00
	₡1 763,20	₡881 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡1 751,60	₡1 401 280,00
4 800	Presupuesto

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	62 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	240 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Peso de la unidad:	1,485 g

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Hoja de datos

NTB110N65S3HF Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance, and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NTB110N65S3HF also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components, and improved system reliability.