Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
onsemi
1: ₡2 689,00
3 971En existencias

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FDBL86363-F085

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512-FDBL86363_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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3 971En existencias

Cinta cortada

₡2 689,00

₡1 946,27

₡1 393,29

₡1 344,50

₡1 252,34

Envase tipo carrete

₡1 252,34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
onsemi
1: ₡2 141,44
2 692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86366-F085

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512-FDBL86366_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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2 692En existencias

Cinta cortada

₡2 141,44

₡1 507,14

₡1 062,59

₡970,43

₡905,37

Envase tipo carrete

₡905,37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

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- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH041N65F-F085
onsemi
1: ₡8 489,87
358En existencias
NRND

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FCH041N65F-F085

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512-FCH041N65F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

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358En existencias

₡8 489,87

₡5 209,94

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

595 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH077N65F-F085
onsemi
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888En existencias
NRND

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FCH077N65F-F085

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

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888En existencias

₡4 141,93

₡3 556,42

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

481 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
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1 391En existencias
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FDD9409-F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

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Cinta cortada

₡1 133,07

₡764,41

₡558,40

₡471,66

₡451,06

Envase tipo carrete

₡451,06

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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90 A

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3.2 V

42 nC

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150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

FDBL86210-F085
onsemi
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FDBL86210-F085

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512-FDBL86210_F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

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3 452En existencias

Cinta cortada

₡3 632,32

₡2 450,46

₡1 799,90

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Envase tipo carrete

₡1 675,20

₡1 463,77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

169 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

70 nC

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+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86561-F085
onsemi
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1 899En existencias
2 000Se espera el 3/7/2026

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FDBL86561-F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench

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1 899En existencias

2 000Se espera el 3/7/2026

Cinta cortada

₡3 350,41

₡2 293,24

₡1 658,94

₡1 653,52

₡1 604,73

Envase tipo carrete

₡1 561,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

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2 V

170 nC

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+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

FDBL86563-F085
onsemi
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3 234En existencias

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FDBL86563-F085

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512-FDBL86563_F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

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₡3 279,93

₡2 201,08

₡1 588,46

₡1 572,20

₡1 469,19

Envase tipo carrete

₡1 469,19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

240 A

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357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
onsemi
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10 692En existencias

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FDD13AN06A0-F085

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512-FDD13AN06A0-F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

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Cinta cortada

₡1 171,02

₡753,57

₡509,07

₡406,06

Envase tipo carrete

₡381,66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

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+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085
onsemi
1: ₡1 561,36
3 201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86367-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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3 201En existencias

Cinta cortada

₡1 561,36

₡840,31

₡666,83

₡585,51

Envase tipo carrete

₡547,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

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+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
onsemi
1: ₡1 702,31
2 733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86567-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

2 733En existencias

Cinta cortada

₡1 702,31

₡1 105,96

₡769,84

₡650,56

₡645,14

Envase tipo carrete

₡607,19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH104N60F-F085
onsemi
1: ₡3 935,92
479En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH104N60F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

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Hoja de datos

479En existencias

₡3 935,92

₡2 276,98

₡1 946,27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

275 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
onsemi
1: ₡504,19
8 019En existencias
12 000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

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Hoja de datos

8 019En existencias

12 000En pedido

Cinta cortada

₡504,19

₡312,81

₡203,84

₡156,68

₡141,50

Envase tipo carrete

₡121,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86361-F085
onsemi
1: ₡3 632,32
47En existencias
10 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86361-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

47En existencias

10 000En pedido

Cinta cortada

₡3 632,32

₡2 450,46

₡1 799,90

₡1 767,37

Envase tipo carrete

₡1 680,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
onsemi
1: ₡1 214,39
1 442En existencias
2 500Se espera el 22/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDD86369-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

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Hoja de datos

1 442En existencias

2 500Se espera el 22/5/2026

Cinta cortada

₡1 214,39

₡780,68

₡528,04

₡421,78

₡399,01

Envase tipo carrete

₡384,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
onsemi
1: ₡563,82
590En existencias
159 000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDN5632N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

Hoja de datos

590En existencias

159 000En pedido

Cinta cortada

₡563,82

₡352,39

₡230,95

₡175,65

₡161,01

Envase tipo carrete

₡132,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench

FDB86563-F085
onsemi
1: ₡3 122,71
4 406En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDB86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

4 406En pedido

Cinta cortada

₡3 122,71

₡2 033,02

₡1 593,88

₡1 333,66

Envase tipo carrete

₡1 333,66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

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