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SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 609 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SI3129DV-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI3129DV-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Hoja de datos:

SI3129DV-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡609	₡609
	₡382	₡3 820
	₡250	₡25 000
	₡193	₡96 500
	₡175	₡175 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡148	₡444 000
	₡132	₡792 000
	₡130	₡1 170 000
	₡125	₡3 000 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	82.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	4.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	20 mg

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET is 100% R_g tested in a TSOP-6 single package. The Si3129DV MOSFET offers a ±20V gate-source voltage and an -55°C to 150°C operating junction temperature range. The Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V MOSFET is designed for power management for portable and consumer applications.