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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
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39 262En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 9.5 A, 15 A 45 mOhms, 146 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9 nC, 12 nC - 55 C + 175 C 27 W, 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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77 916En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 30 mOhms, 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
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28 869En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 75 V 17 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
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55 706En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 15 A, 18 A 13.3 mOhms, 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC, 48 nC - 55 C + 175 C 43 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
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26 508En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 17.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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2 580En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 15 A 47 mOhms, 47 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified
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5 816En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 100 V 17 A, 34 A 32.5 mOhms, 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC, 30 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 40V PowerPAK
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6 060En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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5 208En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 15 A 27 mOhms, 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
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1 724En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 2 Channel 40 V 15 A, 45 A 18 mOhms, 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19.7 nC, 33.8 nC - 55 C + 175 C 17 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
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2 250En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 12 V 20 A, 60 A 5.2 mOhms, 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC, 54 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
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51 463En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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4 616En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 21 mOhms, 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
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5 950En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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3 665En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 6.3 mOhms, 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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13 152En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 30 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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6 479En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
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6 942En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 60 V 8 A 67 mOhms, 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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1 941En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23.5 A 28 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 18.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
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2 023En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 20 V 20 A, 60 A 7.4 mOhms, 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC, 43 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel