Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ940EP-T1_GE3
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SQJ980AEP-T1_GE3
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SQJ946EP-T1_GE3
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SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJB42EP-T1_GE3
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SQJ942EP-T1_GE3
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SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ974EP-T1_GE3

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SQJB40EP-T1_GE3
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30 A

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TrenchFET

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SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ968EP-T1_GE3

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78-SQJ968EP-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ992EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ992EP-T1_GE3

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SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ200EP-T1_GE3

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78-SQJ200EP-T1_GE3

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1 V

18 nC, 43 nC

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+ 175 C

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AEC-Q101

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SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 087,77
2 316En existencias

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SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SQJ963EP-T1_GE3
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SQJ963EP-T1_GE3

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SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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9 000Se espera el 19/11/2026

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SQJB60EP-T1_GE3

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78-SQJB60EP-T1_GE3

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SQJB00EP-T1_GE3

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78-SQJB00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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2 640Se espera el 2/11/2026

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₡1 030,52

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₡441,35

₡349,23

₡319,57

Envase tipo carrete

₡285,22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ202EP-T1_GE3

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.2 mOhms, 2.5 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
7.9 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms
13.3 mOhms, 5.3 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms, 9 mOhms
21 mOhms, 21 mOhms
27 mOhms, 27 mOhms
28 mOhms, 28 mOhms
30 mOhms, 30 mOhms
32.5 mOhms, 15.4 mOhms
41 mOhms
45 mOhms, 146 mOhms
47 mOhms, 47 mOhms
67 mOhms, 67 mOhms