Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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130 679En existencias

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SQ1912AEEH-T1_GE3

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78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922AEEH-T1_GE3

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78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Reel, Cut Tape, MouseReel

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Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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Enhancement

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922EEH-T1_GE3

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Enhancement

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SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ208EP-T1_GE3

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78-SQJ208EP-T1_GE3

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ980AEP-T1_GE3

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ868EP-T1_GE3

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58 A

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ202EP-T1_GE3

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+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906E-T1_GE3

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78-SQJQ906E-T1_GE3

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₡744,27

₡713,04

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₡655,79

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

95 A

3.3 mOhms

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3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ844AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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5 979En existencias

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SQJ844AEP-T1_GE3

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78-SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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₡973,27

₡464,26

₡414,29

₡327,37

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Envase tipo carrete

₡263,36

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 238,00
2 958En existencias

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SQJQ904E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡1 139,82

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₡822,34

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: 2 000

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4282EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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4 701En existencias

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SQ4282EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4282EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

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₡556,90

₡441,88

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₡393,99

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡822,34
25 232En existencias

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SQJB70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡822,34

₡387,75

₡345,07

₡270,64

Envase tipo carrete

₡247,22

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

11.3 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡728,65
5 186En existencias

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SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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5 186En existencias

Cinta cortada

₡728,65

₡339,86

₡301,87

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₡208,19

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

27 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 061,75
5 552En existencias

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SQJ262EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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5 552En existencias

Cinta cortada

₡1 061,75

₡508,49

₡454,89

₡360,16

₡351,31

Envase tipo carrete

₡296,14

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

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29.5 mOhms, 12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 759,17
2 238En existencias

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SQJQ960EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡1 759,17

₡879,59

₡796,31

₡645,38

₡629,76

Envase tipo carrete

₡593,33

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

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9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 873,68
1 764En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906EL-T1_GE3

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78-SQJQ906EL-T1_GE3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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1 764En existencias

Cinta cortada

₡1 873,68

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40 V

160 A

3.6 mOhms, 3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3585EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.5 A, 3.57 A

49 mOhms, 140 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV, 1.5 V

2.5 nC, 3.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

SQ4284EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
2.5 A, 3.57 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W