Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 48

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡429
138 021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡429

₡263

₡172

₡131

Envase tipo carrete

₡100

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SMD/SMT

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2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡348
181 230En existencias

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SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡348

₡216

₡139

₡104

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₡79,5

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

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+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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127 676En existencias

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SQ1922AEEH-T1_GE3

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78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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127 676En existencias

Cinta cortada

₡412

₡253

₡164

₡126

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₡96,3

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SMD/SMT

SOT-363-6

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2 Channel

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300 mOhms

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1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 131
26 726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB90EP-T1_GE3

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78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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26 726En existencias

Cinta cortada

₡1 131

₡725

₡488

₡387

₡354

Envase tipo carrete

₡313

MouseReel Disponible

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2 Channel

80 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ906E-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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12 481En existencias

Cinta cortada

₡1 966

₡1 282

₡893

₡783

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₡742

Presupuesto

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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53 779En existencias

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SQJ868EP-T1_GE3

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78-SQJ868EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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₡911

₡564

₡374

₡295

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₡253

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1 Channel

40 V

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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45 871En existencias

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SQJQ910EL-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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45 871En existencias

Cinta cortada

₡1 955

₡1 276

₡887

₡766

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₡621

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2 V

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187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡423
308 196En existencias

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SQ1922EEH-T1_GE3

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78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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308 196En existencias

Cinta cortada

₡423

₡263

₡172

₡131

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₡100

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2 Channel

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1 V

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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71 157En existencias

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SQJ208EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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₡1 206

₡771

₡527

₡446

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₡354

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 073
30 570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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30 570En existencias

Cinta cortada

₡1 073

₡684

₡460

₡364

Envase tipo carrete

₡317

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

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75 V

17 A

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1.5 V

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34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡754
5 238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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5 238En existencias

Cinta cortada

₡754

₡471

₡311

₡245

Envase tipo carrete

₡203

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

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1.5 V

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27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 007
4 136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ980EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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4 136En existencias

Cinta cortada

₡2 007

₡1 311

₡911

₡783

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₡679

Presupuesto

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Min.: 1
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Carrete: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

36 A

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2 V

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- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ844AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 015
5 989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ844AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5 989En existencias

Cinta cortada

₡1 015

₡644

₡431

₡340

Envase tipo carrete

₡274

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 326
3 012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ904E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

3 012En existencias

Cinta cortada

₡2 326

₡1 531

₡1 079

₡969

Envase tipo carrete

₡818

₡789

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms, 2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

SQS423ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡725
12 854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS423ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS423ENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

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Hoja de datos

12 854En existencias

Cinta cortada

₡725

₡459

₡304

₡249

Envase tipo carrete

₡198

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

P-Channel

1 Channel

30 V

16 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

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62.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ260EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 177
3 319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ260EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ260EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

3 319En existencias

Cinta cortada

₡1 177

₡754

₡508

₡404

Envase tipo carrete

₡365

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A, 54 A

15.5 mOhms, 7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC, 25 nC

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+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 009
5 816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5 816En existencias

Cinta cortada

₡1 009

₡725

₡488

₡387

₡354

Envase tipo carrete

₡295

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

100 V

17 A, 34 A

32.5 mOhms, 15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC, 30 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 102
5 552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ262EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5 552En existencias

Cinta cortada

₡1 102

₡708

₡474

₡375

₡348

Envase tipo carrete

₡284

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A, 40 A

29.5 mOhms, 12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡858
27 686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

27 686En existencias

Cinta cortada

₡858

₡541

₡360

₡282

Envase tipo carrete

₡224

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3 000

SMD/SMT

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2 Channel

100 V

11.3 A

78 mOhms

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Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ244EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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8 708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ244EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

8 708En existencias

Cinta cortada

₡1 177

₡754

₡508

₡404

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2 Channel

40 V

20 A, 60 A

4.5 mOhms, 11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
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SQJ200EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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20 V

20 A, 60 A

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- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ204EP-T1_GE3
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Vishay / Siliconix

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20 nC, 50 nC

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SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ956EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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60 V

23 A

22.3 mOhms, 22.3 mOhms

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1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ414EP-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ202EP-T1_GE3

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78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
3.57 A, 2.5 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
30 A, 18 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W