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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
Hoja de datos
31 990En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 15 V, 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.2A
Hoja de datos
5 926Se espera el 7/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A
Hoja de datos
9 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel