650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

Resultados: 50
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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492En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 45 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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860En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1 097En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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781En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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3 494En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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298En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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91En existencias
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Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 36 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 50 nC - 40 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 29 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 39 nC - 40 C + 150 C 186 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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490En existencias
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Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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172En existencias
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Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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412En existencias
1 000Se espera el 5/3/2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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180En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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63En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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215En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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95En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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151En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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38En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Plazo de entrega 21 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape