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SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7454FDP-T1-RE3
Price: 883.68 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SI7454FDP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SI7454FDP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SI7454FDP-T1-RE3 Hoja de datos

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡883,68	₡883,68
	₡558,40	₡5 584,00
	₡370,82	₡37 082,00
	₡291,13	₡145 565,00
	₡265,65	₡265 650,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡232,03	₡696 090,00
	₡225,53	₡1 353 180,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	23.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	29.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	17.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	39 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	33 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Si74 MOSFETs

Vishay Si74 MOSFETs feature TrenchFET® technology that lowers the on-resistance, ensuring reliability and performance in a 30V to 250V range. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. Housed in the PowerPAK® package, these MOSFETs boast low thermal resistance, compact size, and a slim 1.07 mm profile, making them ideal for applications where space and thermal management are critical.

Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET with very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Si7454FDP has a 23.5A I_D and 8nC Q_g. The Vishay / Siliconix Si7454FDP MOSFET is housed in a single PowerPAK^® SO-8 package and has a specified -55°C to +150°C operating junction and storage temperature range.