NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET Modules is equipped with an 11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET full-bridge configuration. The modules integrate a thermistor and an HPS DBC in an F2 package, enabling compact, high-efficiency power-conversion designs. The onsemi NXH011F120M3F2 offers two types of pre-applied thermal interface material and one without pre-applied TIM. The modules also feature press-fit pins and Pb-free, halide-free, and RoHS-compliant construction for power module integration.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Empaquetado
onsemi Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
Hoja de datos
20Se espera el 24/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
Hoja de datos
20Se espera el 24/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi Módulos MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
Hoja de datos
28Se espera el 13/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Hoja de datos
28Se espera el 16/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Hoja de datos
28Se espera el 16/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi Módulos MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Hoja de datos
28Se espera el 16/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray