Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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SMD/SMT
HSMT-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
5 978 En existencias
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SMD/SMT
HSMT-8
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100 V
7 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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HSMT-8
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