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MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 354 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-MMFTP2319

Fabricante N.º:

MMFTP2319

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Hoja de datos:

MMFTP2319 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡354	₡354
	₡250	₡2 500
	₡175	₡17 500
	₡153	₡76 500
	₡142	₡142 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡105	₡315 000
	₡78,3	₡704 700
	₡76	₡1 824 000
	₡58	₡2 610 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	750 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	MMFTN/P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

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Hoja de datos

MMFTP2319 Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.