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CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 721166 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGHV35400F1

Fabricante N.º:

CGHV35400F1

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Hoja de datos:

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440225
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	125 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.9 GHz
Potencia de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V

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Hoja de datos

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

HEMT GaN ajustado de entrada/salida de 50 Ω y 400 W CGHV35400F

El HEMT GaN ajustado de entrada/salida de 50 Ω de 2.9 GHz a 3.5 GHz y 400 W CGHV35400F de Wolfspeed para aplicaciones de amplificadores de radares de banda S ofrece alta eficiencia, alto nivel de ganancia y grandes capacidades de ancho de banda. El transistor CGHV35400F está ajustado en 50 Ω en la entrada y 50 ohmios en la salida.