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AFGHL50T65RQDN

Name: onsemi AFGHL50T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65RQDN
Price: 3927 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-AFGHL50T65RQDN

Fabricante N.º:

AFGHL50T65RQDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs 650V/50A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE

Hoja de datos:

AFGHL50T65RQDN Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 927	₡3 927
	₡2 256	₡22 560
	₡1 920	₡230 400
	₡1 827	₡931 770

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	78 A
Dp - Disipación de potencia :	346 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGHL50T65RQDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs

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Hoja de datos

AFGHL50T65RQDN Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FS4 IGBTs

onsemi FS4 IGBTs are a powerful and efficient solution for various industrial and automotive applications. The onsemi FS4 has a maximum junction temperature of 175°C. These IGBTs are built to withstand even the harshest operating conditions.

AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT

onsemi AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT is a 4th generation field-stop IGBT that utilizes innovative technology. The onsemi AFGHL50T65RQDN provides optimal performance for solar inverters, UPS, welders, telecom, ESS, and PFC applications. The device ensures minimal conduction and switching losses.