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NVNJWS200N031LTAG

Name: onsemi NVNJWS200N031LTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VNJWS200N031LTAG
Price: 228 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-VNJWS200N031LTAG

Fabricante N.º:

NVNJWS200N031LTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)

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	₡115	₡11 500
	₡110	₡55 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡105	₡315 000
	₡100	₡600 000
	₡98,1	₡882 900

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	200 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	2.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.6 ns
Serie:	NVNJWS200N031L
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.2 ns

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NVNJWS200N031LTAG Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVNJWS200N031L Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVNJWS200N031L Single N-Channel Power MOSFET has a drain-to-source breakdown voltage (V_(BR)DSS) of 30V (minimum) and a continuous drain current (I_D) rating of 3.3A. The MOSFET features a low R_DS(on) of 200mΩ (maximum) (V_GS = 4.5V, I_D = 1.5A) to minimize conduction losses. It also features a low input capacitance (C_ISS) of 89pF. The device comes in a wettable flank with an ESD-protected gate. The onsemi NVNJWS200N031L is AEC-Q101 qualified and PAP capable.