Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
3 003 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
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₡359,12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
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5 000
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
74 En existencias
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6 000 Se espera el 7/9/2026
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3 000
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
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6 000 Se espera el 7/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
93 En existencias
6 000 Se espera el 7/9/2026
Embalaje alternativo
1
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6 000
₡775,49
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
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2 027 En existencias
5 000 Se espera el 11/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
2 027 En existencias
5 000 Se espera el 11/9/2026
Embalaje alternativo
1
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1 000
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5 000
₡362,76
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Mult.: 1
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5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
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₡1 649,88
4 158 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
4 158 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 649,88
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₡536,08
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₡536,08
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Mult.: 1
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5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
₡1 306,37
353 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
353 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 306,37
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₡363,81
Comprar
Min.: 1
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5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 077,36
30 160 Se espera el 12/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
30 160 Se espera el 12/11/2026
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₡1 077,36
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₡273,24
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles