Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

Resultados: 79
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2 980En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 170 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
Hoja de datos
3 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 125 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252
Hoja de datos
2 976En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2 999En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 223 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
Hoja de datos
2 989En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 264 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
Hoja de datos
5 107En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
Hoja de datos
2 846En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 600 V 13.3 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
Hoja de datos
999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
Hoja de datos
835En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
Hoja de datos
988En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
Hoja de datos
996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 72 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252
Hoja de datos
2 978En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
Hoja de datos
2 975En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 700 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
Hoja de datos
3 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 168 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
Hoja de datos
1 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67.7 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
Hoja de datos
330En existencias
3 000Se espera el 25/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S
Hoja de datos
3 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.5 A 75 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
Hoja de datos
2 400En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
Hoja de datos
2 399En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 53 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
Hoja de datos
736En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.1 A, 8.7 A 20 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5 nC, 6 nC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S
Hoja de datos
2 521En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.4 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S
Hoja de datos
2 870En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.5 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S
Hoja de datos
3 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.3 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
Hoja de datos
2 905En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
Hoja de datos
2 990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel