Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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ROHM Semiconductor
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RD3P06BBLHRBTL
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ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor

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AEC-Q101

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AG047FLS4FRATCB
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AG502ELD3HRBTL
ROHM Semiconductor
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AG502ELD3HRBTL

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Enhancement

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ROHM Semiconductor
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AEC-Q101

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RD3L08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3L08DBKHRBTL

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₡397,39

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80 A

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

RQ3L270BJFRATCB
ROHM Semiconductor
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RQ3L270BJFRATCB

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ROHM Semiconductor

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₡298,18

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SMD/SMT

HSMT-8AG

P-Channel

1 Channel

60 V

27 A

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69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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AG502EGD3HRBTL
ROHM Semiconductor
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AG502EGD3HRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-AG502EGD3HRBTL

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₡1 274,02

₡818,63

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₡371,36

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SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

68 A

13.1 mOhms

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2.5 V

82 nC

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+ 175 C

77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L03BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: ₡1 008,38
2 255En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
RD3L03BBJHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L03BBJHRBTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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₡1 008,38

₡645,14

₡433,17

₡342,63

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₡295,46

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: 2 500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

29 A

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27 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252

RD3L140SPFRATL
ROHM Semiconductor
1: ₡1 165,60
2 466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L140SPFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L140SPFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252

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₡358,89

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TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

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- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252

RD3P130SPFRATL
ROHM Semiconductor
1: ₡1 420,40
2 698En existencias
5 000Se espera el 4/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3P130SPFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P130SPFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252

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₡499,85

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₡472,74

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SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

13 A

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2.5 V

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+ 150 C

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 3.5A

RSQ035N06HZGTR
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
RSQ035N06HZGTR

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 3.5A

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SOT-457T-6

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3.5 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3H200SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: ₡1 116,80
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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

45 V

20 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252

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TO-252-3

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1 Channel

60 V

5 A

109 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3L080SNFRATL
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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 60V .3A

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1 V

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- 55 C

+ 150 C

200 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V .2A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V .2A

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

200 mA

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V Vds 33A 0.077Rds(on) 80Qg

RJ1U330AAFRGTL
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RJ1U330AAFRGTL

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

33 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

211 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-1006-3
DFN-8
HPLF-5
HSMT-8AG
SC-96-3
SMT3-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-323-3
SOT-323T-3
SOT-346-3
SOT-346T-3
SOT-363-6
SOT-363T-6
SOT-457T-6
TO-252-3
TO-263-3
TO-263S-3
TUMT-6
UMT-3

200 mA
250 mA
300 mA
500 mA
1 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.5 A
2.5 A, 3 A
3 A
3.5 A
3.5 A, 4.5 A
4 A
4 A, 6 A
4.5 A
5 A
6.5 A
7 A

1.4 mOhms
2.3 mOhms
3.3 mOhms
4.1 mOhms
4.2 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
5.3 mOhms
5.5 mOhms
7.5 mOhms
9.3 mOhms
12 mOhms, 20 mOhms
13.1 mOhms
13.3 mOhms
13.5 mOhms
16 mOhms
16.8 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
25 mOhms, 46 mOhms

2 nC
2.2 nC
2.3 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.6 nC
3.7 nC
3.9 nC
4.4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.9 nC
5 nC
5.2 nC
5.3 nC
5.4 nC

150 mW
200 mW
350 mW
600 mW
800 mW
1 W
1.25 W
2 W
15 W
20 W
50 W
53 W
62 W
69 W
75 W
76 W
77 W
85 W
96 W
120 W