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SI6423ADQ-T1-GE3

Name: Vishay SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI6423ADQ-T1-GE3
Price: 846.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SI6423ADQ-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI6423ADQ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

Hoja de datos:

SI6423ADQ-T1-GE3 Hoja de datos

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡846,80	₡846,80
	₡533,60	₡5 336,00
	₡354,96	₡35 496,00
	₡277,82	₡138 910,00
	₡252,88	₡252 880,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡220,98	₡662 940,00
	₡205,32	₡1 231 920,00
	₡196,62	₡1 769 580,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSSOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	112 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	36 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	120 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	158 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET

Vishay / Siliconix Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET is offered in a TSSOP-8 package with a -20V drain-source voltage and 20mJ single pulse avalanche energy rating. This MOSFET features a single configuration design. It is halogen-free, RoHS compliant, and 100% R_g and UIS tested. Vishay Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET is designed for load switches, battery switches, and power management applications.