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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 1293 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RD3U041AAFRATL

Fabricante N.º:

RD3U041AAFRATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Hoja de datos:

RD3U041AAFRATL Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 293	₡1 293
	₡829	₡8 290
	₡562	₡56 200
	₡449	₡224 500
	₡425	₡425 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡372	₡930 000
	₡353	₡1 765 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	250 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.5 V
Qg - Carga de puerta:	8.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	29 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	RD3
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Alias de las piezas n.º:	RD3U041AAFRA
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET features low on-resistance and fast switching. With simple drive circuits and a 250V drain-source voltage, the RD3U041AAFRA is suitable for switching applications. The ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET, which is AEC-Q101 qualified.