N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) R4P020N06HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) R4P030N03HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
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