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IXTY2P50PA

Name: IXYS IXTY2P50PA
Brand: IXYS
SKU: 576-IXTY2P50PA
Price: 2801.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

576-IXTY2P50PA

Fabricante N.º:

IXTY2P50PA

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

Hoja de datos:

IXTY2P50PA Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 801,40	₡2 801,40
	₡2 134,40	₡21 344,00
	₡1 276,00	₡89 320,00
	₡1 258,60	₡704 816,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	11.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	58 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	66 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	62 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	70
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET is an easy-to-mount AEC-Q101 qualified MOSFET with low package inductance. This MOSFET is fabricated using the rugged PolarP™ process, features a compact design, and is avalanche-rated. The IXTY2P50PA MOSFET offers -500V drain-source voltage, -2A avalanche current, 150mJ avalanche energy, and 58W power dissipation. This MOSFET operates within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include high-side switches, push-pull amplifiers, automatic test equipment, current regulators, and DC choppers.