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NDSH40120CDN

Name: onsemi NDSH40120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120CDN
Price: 9709.68 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NDSH40120CDN

Fabricante N.º:

NDSH40120CDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Hoja de datos:

NDSH40120CDN Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡5 508,12	₡660 974,40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3LD
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente directa:	52 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.36 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	123 A
Ir - Corriente inversa:	2.39 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	217 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN de onsemi proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor confiabilidad que el silicio. El diodo de onsemi no tiene corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y un excelente rendimiento térmico. Los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, una frecuencia operativa más rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida y un menor tamaño y costo del sistema.