Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 1214.39 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-RH7G04CBKFRATCB

Fabricante N.º:

RH7G04CBKFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

RH7G04CBKFRATCB Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB

En existencias: 3 000

Existencias:: 3 000 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 214,39	₡1 214,39
	₡780,68	₡7 806,80
	₡526,42	₡52 642,00
	₡419,07	₡209 535,00
	₡384,38	₡384 380,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡346,97	₡1 040 910,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	19.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	9..3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14.3 ns