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NVBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D5N10MCTXG
Price: 4486.41 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVBLS1D5N10MCTXG

Fabricante N.º:

NVBLS1D5N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:

NVBLS1D5N10MCTXG Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-PSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	300 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	131 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	331 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	230 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	71 ns
Serie:	NVBLS1D5N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	83 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	39 ns

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Hoja de datos

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVBLS1D5N10MC N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D5N10MC N-Channel PowerTrench^® MOSFET features high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D5N10MC is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.

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En existencias: 35

Existencias:: 35

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Se espera el 16/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 53

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡4 486,41	₡4 486,41
	₡3 112,38	₡31 123,80
	₡2 414,96	₡241 496,00
	₡2 238,00	₡1 119 000,00
	₡2 170,34	₡2 170 340,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡2 050,63	₡4 101 260,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

NVBLS1D5N10MCTXG

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Especificaciones

Documentos (2)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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