Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ464EP-T1_GE3
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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ500AEP-T1_GE3
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SQJA96EP-T1_GE3
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SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay / Siliconix
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SQJ418EP-T1_GE3
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SQJ476EP-T1_GE3
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SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ479EP-T1_GE3
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SQJ403BEEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ403BEEP-T1_GE3

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SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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2 265En existencias

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SQJ411EP-T1_GE3

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SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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2 118En existencias
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SQJ416EP-T1_GE3

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78-SQJ416EP-T1_GE3

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1 Channel

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AEC-Q101

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SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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1 496En existencias

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SQJ952EP-T1_GE3

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SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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28En existencias
6 000Se espera el 1/10/2026

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SQJA00EP-T1_GE3

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6 000Se espera el 1/10/2026

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+ 175 C

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ459EP-T1_GE3

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78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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7 mOhms
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10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
30 mOhms