Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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76 050En existencias

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SQJ464EP-T1_GE3

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78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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₡853,56

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₡225,36

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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77 505En existencias

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SQJ423EP-T1_GE3

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78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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SQJA96EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA96EP-T1_GE3

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78-SQJA96EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJA94EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA94EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ459EP-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ418EP-T1_GE3

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78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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₡407,52

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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ444EP-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ457EP-T1_GE3

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SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ500AEP-T1_GE3

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Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ860EP-T1_GE3

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AEC-Q101

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SQJA84EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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15 907En existencias

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SQJA84EP-T1_GE3

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78-SQJA84EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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₡263,36

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1 Channel

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46 A

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55 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJA86EP-T1_GE3

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78-SQJA86EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡884,79

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₡232,13

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1 Channel

80 V

30 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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3 439En existencias

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SQJ148EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡588,13

₡369,01

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Envase tipo carrete

₡146,25

MouseReel Disponible

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1 Channel

40 V

15 A

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Enhancement

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SQJA02EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 113,80
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA02EP-T1_GE3

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78-SQJA02EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

₡1 113,80

₡713,04

₡481,43

₡382,02

₡350,27

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₡318,00

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PowerPAK-SO-8-4

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60 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 040,93
2 125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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2 125En existencias

Cinta cortada

₡1 040,93

₡666,20

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₡288,86

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

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1.5 V

150 nC

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡837,95
354En existencias
150 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡837,95

₡530,87

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₡220,16

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AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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418En existencias
9 000Se espera el 19/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJ476EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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418En existencias

9 000Se espera el 19/7/2027

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₡869,18

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₡352,88

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₡237,33

Envase tipo carrete

₡214,95

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 119,00
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ952EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡718,24

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₡319,05

MouseReel Disponible

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23 A

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡837,95
3 040En existencias
9 000Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJA00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA00EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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3 040En existencias

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4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
30 mOhms