Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
MACOM GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C