IGBTs IXYH55N120C4H1
IXYH55N120C4H1
IXYS
1:
₡10 221,94
629 En existencias
N.º de artículo de Mouser
576-IXYH55N120C4H1
IXYS
IGBTs IXYH55N120C4H1
629 En existencias
1
₡10 221,94
10
₡6 911,78
120
₡5 974,94
510
₡5 667,87
1 020
₡5 480,50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800
IXFN60N80P
IXYS
1:
₡30 509,68
599 En existencias
980 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN60N80P
IXYS
Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800
599 En existencias
980 En pedido
Ver fechas
Existencias:
599 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
310 Se espera el 9/12/2026
670 Se espera el 21/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
₡30 509,68
10
₡24 716,90
100
₡21 776,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
IXBT42N170
IXYS
1:
₡22 353,99
3 209 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXBT42N170
IXYS
IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
3 209 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡22 353,99
10
₡16 597,64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
IXFN400N15X3
IXYS
1:
₡28 615,19
557 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN400N15X3
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS
557 En existencias
1
₡28 615,19
10
₡22 255,10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
IXGT16N170A
IXYS
1:
₡13 677,83
1 215 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXGT16N170A
IXYS
IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
1 215 En existencias
1
₡13 677,83
10
₡8 962,41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET
IXTF02N450
IXYS
1:
₡26 725,90
414 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTF02N450
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET
414 En existencias
1
₡26 725,90
10
₡20 626,04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
+1 imagen
IXTH44P15T
IXYS
1:
₡5 626,23
3 458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH44P15T
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
3 458 En existencias
1
₡5 626,23
10
₡3 336,18
120
₡2 826,13
1 020
₡2 815,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR
IXTK3N250L
IXYS
1:
₡52 098,59
263 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK3N250L
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR
263 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
IXYH25N250CHV
IXYS
1:
₡19 481,02
650 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXYH25N250CHV
IXYS
IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
650 En existencias
1
₡19 481,02
10
₡14 619,87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
IXBK75N170
IXYS
1:
₡38 353,10
632 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXBK75N170
IXYS
IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
632 En existencias
1
₡38 353,10
10
₡32 966,28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
IXGN200N170
IXYS
1:
₡42 844,71
347 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXGN200N170
IXYS
IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
347 En existencias
1
₡42 844,71
10
₡36 817,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
MMIX4B22N300
IXYS
1:
₡62 034,27
222 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-MMIX4B22N300
IXYS
IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
222 En existencias
1
₡62 034,27
10
₡55 674,18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFK150N30P3
IXYS
1:
₡14 260,75
1 488 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
1 488 En existencias
1
₡14 260,75
10
₡9 207,03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
IXFN132N50P3
IXYS
1:
₡26 330,34
415 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN132N50P3
IXYS
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
415 En existencias
1
₡26 330,34
10
₡20 089,96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
IXTK60N50L2
IXYS
1:
₡20 547,97
570 En existencias
300 Se espera el 27/10/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK60N50L2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
570 En existencias
300 Se espera el 27/10/2026
1
₡20 547,97
10
₡16 597,64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
IXXN110N65C4H1
IXYS
1:
₡15 921,04
822 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXXN110N65C4H1
IXYS
Módulos IGBT 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
822 En existencias
1
₡15 921,04
10
₡13 251,05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Reguladores y monitores de potencia y corriente 900V 1-100mA
IXCP10M90S
IXYS
1:
₡2 633,55
14 560 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXCP10M90S
IXYS
Reguladores y monitores de potencia y corriente 900V 1-100mA
14 560 En existencias
1
₡2 633,55
10
₡1 868,47
50
₡1 707,13
100
₡1 629,06
250
Ver
250
₡1 566,60
500
₡1 519,76
1 000
₡1 504,15
2 500
₡1 483,33
5 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
IXYS
1:
₡3 429,87
8 813 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
8 813 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 429,87
10
₡1 816,42
100
₡1 577,01
500
₡1 462,51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos MOSFET 500V 64A
IXFN64N50P
IXYS
1:
₡17 622,96
712 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN64N50P
IXYS
Módulos MOSFET 500V 64A
712 En existencias
1
₡17 622,96
10
₡13 495,67
100
₡13 074,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
+1 imagen
IXFX64N60P
IXYS
1:
₡14 526,19
1 138 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
1 138 En existencias
1
₡14 526,19
10
₡9 560,95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
IXTA86N20X4
IXYS
1:
₡8 270,20
2 003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
2 003 En existencias
1
₡8 270,20
10
₡4 777,87
100
₡4 652,96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
1:
₡29 052,38
398 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN400N15X4
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
398 En existencias
1
₡29 052,38
10
₡22 864,05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
IXXX300N60B3
IXYS
1:
₡20 834,23
684 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXXX300N60B3
IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
684 En existencias
1
₡20 834,23
10
₡15 202,79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
IXYH85N120A4
IXYS
1:
₡11 772,93
1 352 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4
IXYS
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
1 352 En existencias
1
₡11 772,93
10
₡7 442,66
120
₡7 406,22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
+1 imagen
IXYX110N120B4
IXYS
1:
₡14 625,08
1 403 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
1 403 En existencias
1
₡14 625,08
10
₡10 929,77
120
₡9 691,07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles