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FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC
Los FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC de Qorvo son una serie de alto rendimiento que se destaca en la industria por los valores ofrecen. Los FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC son ideales para arquitecturas de bus de 800 V convencionales en cargadores incorporados para vehículos eléctricos, cargadores de baterías industriales, fuentes de alimentación industriales, energías renovables, almacenamiento de energía, soldadoras, UPS y aplicaciones de calefacción por inducción. Disponible en opciones de 23 mΩ a 70 mΩ, la serie Gen 4 se basa en una configuración en cascodo exclusiva, donde se incluye un transistor JFET SiC de alto rendimiento junto con un transistor Si-MOSFET optimizado por conexión en cascodo para producir un dispositivo estándar de control de compuertas de SiC. Esta función permite un diseño flexible sin cambiar el voltaje del control de compuertas, reemplazando fácilmente a los transistores IGBT de silicio (Si), FET de silicio (Si), FET de carburo de silicio (SiC) o a los dispositivos de súper unión de silicio (Si super-junction).
