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BSS84WT106

Name: ROHM Semiconductor BSS84WT106
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSS84WT106
Price: 192.57 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-BSS84WT106

Fabricante N.º:

BSS84WT106

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET

Hoja de datos:

BSS84WT106 Hoja de datos

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Se espera el 11/8/2026

3 000

Se espera el 14/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 16

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Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡192,57	₡192,57
	₡117,63	₡1 176,30
	₡73,91	₡7 391,00
	₡54,65	₡27 325,00
	₡48,40	₡48 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡40,08	₡120 240,00
	₡36,43	₡218 580,00
	₡30,71	₡276 390,00
	₡29,15	₡699 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	210 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	300 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	56 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	140 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS84W

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSS84W Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84W Small Signal MOSFET is a P-Ch, -60V, -0.21A Small Signal MOSFET featuring trench MOSFET technology. The BSS84W offers very fast switching and a 4.5V drive. The ROHM BSS84W is suitable for switching circuits, high-side load switches, and relay driver applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.