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SCT4013DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DW7TL
Price: 18129.07 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4013DW7TL

Fabricante N.º:

SCT4013DW7TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4013DW7TL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡18 129,07	₡18 129,07
	₡14 003,41	₡140 034,10
	₡12 751,07	₡1 275 107,00
	₡12 366,15	₡6 183 075,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡11 547,53	₡11 547 530,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	98 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	170 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	267 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Conformidad:	Done
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	32 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	32 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT4013DW7

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET is a 750V, 13mΩ low on-resistance MOSFET designed for fast switching. The SCT4013DW7 offers a fast reverse recovery, is easy to parallel, and is simple to drive. The ROHM SCT4013DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.