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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2
Hoja de datos
446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2
Hoja de datos
489En existencias
1 000Se espera el 30/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 170 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
8 196En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 1.4 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
Hoja de datos
1 602En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 34.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3 839En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 205 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
9 042En existencias
10 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
Hoja de datos
2 200En existencias
144 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 106 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
Hoja de datos
5 868En existencias
5 000Se espera el 18/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
635En existencias
1 000Se espera el 11/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
29En existencias
1 600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 103 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 150 V 35 A 39 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 26 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
377 345En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2
Hoja de datos
3 000Se espera el 2/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 64 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 89 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
3 729En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
4 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.1 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 32.6 nC - 40 C + 150 C 30.4 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
2 978En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 25 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
4 750Se espera el 9/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
550Se espera el 1/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
723Se espera el 24/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 10.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
485En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 40 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape