Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje de saturación colector-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Dp - Disipación de potencia Paquete / Cubierta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT 13En existencias
15Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT 17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT 12En existencias
15Se espera el 21/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
15Se espera el 24/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk