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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
566En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
441En existencias
2 250Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
663En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1 494En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1 046En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1 823En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1 317En existencias
720En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
185En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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83En existencias
240Se espera el 24/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube