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BSN20BKR

Name: Nexperia BSN20BKR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSN20BKR
Price: 140.53 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BSN20BKR

Fabricante N.º:

BSN20BKR

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSN20BK/SOT23/TO-236AB

Hoja de datos:

BSN20BKR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	265 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	490 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	402 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.1 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.9 ns
Alias de las piezas n.º:	934068054215
Peso de la unidad:	8 mg

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSN20 60V N-channel trench MOSFET is a logic-level compatible, fast switching MOSFET. The BSN20 is suitable for high-frequency applications with logic-level gate drive sources. Based on Trench MOSFET technology, this device is ideal for use in computing, communications, consumer, and industrial applications.

PRODUCTOS DESTACADOS

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BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Uses Trench 9 technology, meets AEC-Q101 requirements.

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BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C.

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Existencias:: 33 317 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡140,53	₡140,53
	₡85,36	₡853,60
	₡53,61	₡5 361,00
	₡39,03	₡19 515,00
	₡34,87	₡34 870,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡26,54	₡79 620,00
	₡23,94	₡143 640,00
	₡19,78	₡178 020,00
	₡18,74	₡449 760,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

BSN20BKR

Fabricante: Nexperia

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSN20BK/SOT23/TO-236AB

Especificaciones

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSN20BK/SOT23/TO-236AB

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