Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 272
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
86 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Carrete: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Carrete: 10 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Carrete: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
46 000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Carrete: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Carrete: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000